TK12A60W,S4VX - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK12A60W,S4VX
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 7297 pcs
Precio de referencia: USD 3.5392/pcs
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Número de pieza	TK12A60W,S4VX
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (Máx)	35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
País de origen	-

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