TK12A60U(Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TK12A60U(Q,M)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 100 pcs
Precio de referencia: USD 3.88/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	TK12A60U(Q,M)
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 6A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack
Peso	-
País de origen	-

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