TJ10S04M3L(T6L1,NQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: TJ10S04M3L(T6L1,NQ Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 49679 pcs
Precio de referencia: USD 0.539/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	10A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 10V
Vgs (Max)	+10V, -20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 5A, 10V
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK+
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-