SSM6N815R,LF

SSM6N815R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
SSM6N815R,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1095112 pcs
Precio de referencia
USD 0.15035/pcs
Nuestro precio
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SSM6N815R,LF Descripción detallada

Número de pieza SSM6N815R,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate, 4V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V
Potencia - Max 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP-F
Peso -
País de origen -

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