SSM6N7002BFE(T5L,F - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: SSM6N7002BFE(T5L,F
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza	SSM6N7002BFE(T5L,F
Estado de la pieza	Discontinued at Digi-Key
Tipo de FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	17pF @ 25V
Potencia - Max	150mW
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6 (1.6x1.6)
Peso	-
País de origen	-

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