SSM6K202FE,LF

SSM6K202FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
SSM6K202FE,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
30000 pcs
Precio de referencia
USD 0.1705/pcs
Nuestro precio
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SSM6K202FE,LF Descripción detallada

Número de pieza SSM6K202FE,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.3A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 1.5A, 4V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor ES6 (1.6x1.6)
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Peso -
País de origen -

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