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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados › RN4603(TE85L,F)
RN4603(TE85L,F)

RN4603(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
RN4603(TE85L,F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
RN4603(TE85L,F) Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3787 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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RN4603(TE85L,F) Descripción detallada

Número de pieza RN4603(TE85L,F)
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 22k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 22k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición 200MHz, 250MHz
Potencia - Max 300mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivo del proveedor SM6
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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