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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados › RN2310,LF
RN2310,LF

RN2310,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
RN2310,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
RN2310,LF Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
15000 pcs
Precio de referencia
USD 0.0268/pcs
Nuestro precio
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RN2310,LF Descripción detallada

Número de pieza RN2310,LF
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 4.7k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) -
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición 200MHz
Potencia - Max 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-70, SOT-323
Paquete de dispositivo del proveedor USM
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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