RN2105MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: RN2105MFV,L3F
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 65825 pcs
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Número de pieza	RN2105MFV,L3F
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición	-
Potencia - Max	150mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor	VESM
Peso	-
País de origen	-

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