RN1968FE(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: RN1968FE(TE85L,F)
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos: RN1968FE(TE85L,F) Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF: -
Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 4210 pcs
Precio de referencia: USD 0/pcs
Nuestro precio: Enviar por correo electrónico: [email protected]

Número de pieza	RN1968FE(TE85L,F)
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios)	22k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios)	47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición	250MHz
Potencia - Max	100mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	RN1968(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6	Detalles
	RN1968FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	Detalles