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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados › RN1102MFV,L3F
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
RN1102MFV,L3F
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
RN1102MFV,L3F Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
670171 pcs
Precio de referencia
USD 0.0378/pcs
Nuestro precio
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RN1102MFV,L3F Descripción detallada

Número de pieza RN1102MFV,L3F
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-723
Paquete de dispositivo del proveedor VESM
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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