HN3C51F-GR(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: HN3C51F-GR(TE85L,F
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos
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Código de fecha: New
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Número de pieza	HN3C51F-GR(TE85L,F
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de transistor	2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	120V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Potencia - Max	300mW
Frecuencia - Transición	100MHz
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SC-74, SOT-457
Paquete de dispositivo del proveedor	SM6
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	HN3C51F-BL(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6	Detalles
	HN3C51F-GR(TE85L,F	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6	Detalles