HN1B04FE-Y,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: HN1B04FE-Y,LF
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 10000 pcs
Precio de referencia: USD 0.0531/pcs
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Número de pieza	HN1B04FE-Y,LF
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Corriente - corte de colector (máximo)	100nA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 6V
Potencia - Max	100mW
Frecuencia - Transición	80MHz
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	ES6
Peso	-
País de origen	-

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