2SJ304(F)

2SJ304(F) - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
2SJ304(F)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4177 pcs
Precio de referencia
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2SJ304(F) Descripción detallada

Número de pieza 2SJ304(F)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 14A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 7A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220NIS
Paquete / caja TO-220-3 Full Pack
Peso -
País de origen -

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