CSD13306W

CSD13306W - Texas Instruments

Número de pieza
CSD13306W
Fabricante
Texas Instruments
Breve descripción
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
CSD13306W Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
7500 pcs
Precio de referencia
USD 0.1708/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para CSD13306W

CSD13306W Descripción detallada

Número de pieza CSD13306W
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1370pF @ 6V
Vgs (Max) ±10V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / caja 6-UFBGA, DSBGA
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA CSD13306W