TSM4N60ECH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza: TSM4N60ECH C5G
Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Precio de referencia: USD 0.9/pcs
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Número de pieza	TSM4N60ECH C5G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	545pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	86.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-251 (IPAK)
Paquete / caja	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
País de origen	-

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