TSM060N03PQ33 RGG

TSM060N03PQ33 RGG - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza
TSM060N03PQ33 RGG
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TSM060N03PQ33 RGG Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
866125 pcs
Precio de referencia
USD 0.1901/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para TSM060N03PQ33 RGG

TSM060N03PQ33 RGG Descripción detallada

Número de pieza TSM060N03PQ33 RGG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 25.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1342pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-PDFN (3x3)
Paquete / caja 8-PowerWDFN
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA TSM060N03PQ33 RGG