S3M M6G - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza	S3M M6G
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	-
Corriente - promedio rectificado (Io)	3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.15V @ 3A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	1.5µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 1000V
Capacitancia @ Vr, F	30pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
S3M	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC	Detalles
S3M M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 3A DO214AB	Detalles
S3M R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Detalles
S3M V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 3A DO214AB	Detalles
S3M V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Detalles
S3M-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC	Detalles
S3M-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC	Detalles
S3M-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Detalles
S3M-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Detalles
S3M-M3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 3A 1000V DO-214AB	Detalles