S3J M6G - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza	S3J M6G
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Corriente - promedio rectificado (Io)	3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.15V @ 3A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	1.5µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F	30pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
S3J	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 3A SMC	Detalles
S3J M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB	Detalles
S3J R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB	Detalles
S3J V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB	Detalles
S3J V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB	Detalles
S3J-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 600V 3A SMC	Detalles
S3J-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 600V 3A SMC	Detalles
S3J-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB	Detalles
S3J-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB	Detalles
S3J-M3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 3A 600V DO-214AB	Detalles