S3B M6G - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza	S3B M6G
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corriente - promedio rectificado (Io)	3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.15V @ 3A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	1.5µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F	30pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 150°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
S3B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Detalles
S3B M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
S3B R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
S3B V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
S3B V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
S3B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Detalles
S3B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Detalles
S3B-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
S3B-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Detalles
S3B-EH	JST Sales America Inc.	CONN HEADER EH SIDE 3POS 2.5MM	Detalles