S1J R3G - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza	S1J R3G
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Corriente - promedio rectificado (Io)	1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.1V @ 1A
Velocidad	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	1.5µs
Current - Reverse Leakage @ Vr	1µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivo del proveedor	DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamiento - unión	-55°C ~ 175°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
S1J	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 1A SMA	Detalles
S1J M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Detalles
S1J R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Detalles
S1J-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 600V 1A SMA	Detalles
S1J-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 600V 1A SMA	Detalles
S1J-B/SS	ORIGINAL	S1J-B/SS ORIGINAL DO214A.. New Original Stocks	Detalles
S1J-E3/11T	VISHAY	S1J-E3/11T VISHAY DO214A New Original Stocks	Detalles
S1J-E3/51T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Detalles
S1J-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Detalles
S1J-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Detalles