LSR102 L0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza	LSR102 L0G
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	20V
Corriente - promedio rectificado (Io)	1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	550mV @ 1A
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	1mA @ 20V
Capacitancia @ Vr, F	110pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	DO-213AB, MELF
Paquete de dispositivo del proveedor	MELF
Temperatura de funcionamiento - unión	-65°C ~ 125°C
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
LSR102	TSC	1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	Detalles
LSR102 L0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF	Detalles
LSR102_1	TSC	1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	Detalles
LSR103	TSC	1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	Detalles
LSR103 L0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 30V 1A MELF	Detalles
LSR104	TSC	1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	Detalles
LSR104 L0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF	Detalles
LSR105	TSC	1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	Detalles
LSR105 L0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE SCHOTTKY 50V 1A MELF	Detalles
LSR106	TSC	1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers	Detalles