GBL04 D2G - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza	GBL04 D2G
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Single Phase
Tecnología	Standard
Voltaje - Pico Inverso (Máx)	400V
Corriente - promedio rectificado (Io)	4A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	1.1V @ 4A
Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 400V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	4-SIP, GBL
Paquete de dispositivo del proveedor	GBL
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
GBL005	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 50V 4A GBL	Detalles
GBL005 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	Detalles
GBL005-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	Detalles
GBL005-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL	Detalles
GBL005HD2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A GBL	Detalles
GBL005_1	TSC	Single Phase 4.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers	Detalles
GBL01	GeneSiC Semiconductor	DIODE BRIDGE 100V 4A GBL	Detalles
GBL01 D2G	Taiwan Semiconductor Corporation	BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL	Detalles
GBL01-E3/45	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	Detalles
GBL01-E3/51	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 1PH 4A 100V GBL	Detalles