STGYA120M65DF2 - STMicroelectronics

Número de pieza: STGYA120M65DF2
Fabricante: STMicroelectronics
Breve descripción: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 735 pcs
Precio de referencia: USD 11.03/pcs
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Número de pieza	STGYA120M65DF2
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	NPT, Trench Field Stop
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	650V
Current - Collector (Ic) (Max)	160A
Corriente - colector pulsado (Icm)	360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.95V @ 15V, 120A
Potencia - Max	625W
Conmutación de energía	1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	420nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	66ns/185ns
Condición de prueba	400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	202ns
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete / caja	TO-247-3 Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor	MAX247™
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	STGYA120M65DF2	STMicroelectronics	TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S	Detalles
	STGYA120M65DF2AG	STMicroelectronics	IGBT	Detalles