STGWA80H65DFB

STGWA80H65DFB - STMicroelectronics

Número de pieza
STGWA80H65DFB
Fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
750 pcs
Precio de referencia
USD 7.5/pcs
Nuestro precio
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STGWA80H65DFB Descripción detallada

Número de pieza STGWA80H65DFB
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 650V
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Corriente - colector pulsado (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Potencia - Max 469W
Conmutación de energía 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 414nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 84ns/280ns
Condición de prueba 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 85ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247 Long Leads
Peso -
País de origen -

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