SICRD101200TR Descripción detallada
| Número de pieza |
SICRD101200TR |
| Estado de la pieza |
Active |
| Tipo de diodo |
Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) |
1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) |
10A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si |
1.8V @ 10A |
| Velocidad |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) |
0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr |
100µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F |
640pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete / caja |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
DPAK |
| Temperatura de funcionamiento - unión |
-55°C ~ 175°C |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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