| Número de pieza | MBR30200WT |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | - |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 15A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 200V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247AD |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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MBR300100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER | Detalles |
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MBR30020 | MCC | 300 Amp Rectifier 20 to 45V olts Schottky Barrier | Detalles |
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MBR30020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER | Detalles |
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MBR30020CTL | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 20V 150A 2 TOWER | Detalles |
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MBR30020CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER | Detalles |
