CIG21L4R7MNE - Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Número de pieza	CIG21L4R7MNE
Estado de la pieza	Active
Tipo	Multilayer
Material - Núcleo	-
Inductancia	4.7µH
Tolerancia	±20%
Valoración actual	750mA
Actual - Saturación	-
Blindaje	Shielded
Resistencia DC (DCR)	260 mOhm
Q @ Freq	-
Frecuencia - Resonante automático	-
Calificaciones	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 125°C
Frecuencia - Prueba	1MHz
Caracteristicas	-
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	0805 (2012 Metric)
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Tamaño / Dimensión	0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Altura: sentado (máximo)	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
CIG21C2R2MNE	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.	FIXED IND 2.2UH 800MA 250 MOHM	Detalles
CIG21C4R7MNE	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.	FIXED IND 4.7UH 580MA 433 MOHM	Detalles
CIG21F1R0MNC	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.	FIXED IND 1UH 800MA 190 MOHM SMD	Detalles
CIG21F1R5MNC	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.	FIXED IND 1.5UH 700MA 250 MOHM	Detalles
CIG21F2R2MNC	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.	FIXED IND 2.2UH 600MA 340 MOHM	Detalles
CIG21FR47MNC	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.	FIXED IND 470NH 1.1A 120 MOHM	Detalles
CIG21L1R0MNE	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.	FIXED IND 1UH 1.15A 110 MOHM SMD	Detalles
CIG21L1R2MNE	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.	FIXED IND 1.2UH 1.1A 125 MOHM	Detalles
CIG21L1R5MNE	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.	FIXED IND 1.5UH 1.05A 140 MOHM	Detalles
CIG21L2R2MNE	Samsung Electro-Mechanics America, Inc.	FIXED IND 2.2UH 950MA 160 MOHM	Detalles