SP8K1FU6TB

SP8K1FU6TB - Rohm Semiconductor

Número de pieza
SP8K1FU6TB
Fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
56465 pcs
Precio de referencia
USD 0.4586/pcs
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SP8K1FU6TB Descripción detallada

Número de pieza SP8K1FU6TB
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
Potencia - Max 2W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP
Peso -
País de origen -

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