RSJ151P10TL - Rohm Semiconductor

Número de pieza	RSJ151P10TL
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	15A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3800pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.35W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	LPTS (SC-83)
Paquete / caja	SC-83
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	RSJ10HN06TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 100A LPTS	Detalles
	RSJ151P10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 100V 15A SC83	Detalles