RDD020N60TL - Rohm Semiconductor

Número de pieza	RDD020N60TL
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	CPT3
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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RDD05	EXSHINE	DC-DC CONVERTER 5 - 6W ( RDD05 SERIES )	Detalles
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