IMB11AT110 Descripción detallada
Número de pieza |
IMB11AT110 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de transistor |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Current - Collector (Ic) (Max) |
100mA |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) |
50V |
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) |
10k |
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) |
10k |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
30 @ 5mA, 5V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic |
300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - corte de colector (máximo) |
500nA |
Frecuencia - Transición |
250MHz |
Potencia - Max |
300mW |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete / caja |
SC-74, SOT-457 |
Paquete de dispositivo del proveedor |
SMT6 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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