EMD12T2R - Rohm Semiconductor

Número de pieza	EMD12T2R
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios)	47k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios)	47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo)	500nA
Frecuencia - Transición	250MHz
Potencia - Max	150mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	EMT6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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