DTB123ECHZGT116 Descripción detallada
Número de pieza |
DTB123ECHZGT116 |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de transistor |
PNP - Pre-Biased + Diode |
Current - Collector (Ic) (Max) |
500mA |
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) |
- |
Resistor - Base (R1) |
2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) |
2.2 kOhms |
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
39 @ 50mA, 5V |
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic |
300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - corte de colector (máximo) |
- |
Frecuencia - Transición |
200MHz |
Potencia - Max |
200mW |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete / caja |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete de dispositivo del proveedor |
SST3 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
PRODUCTOS RELACIONADOS PARA DTB123ECHZGT116