RJK6006DPD-00#J2

RJK6006DPD-00#J2 - Renesas Electronics America

Número de pieza
RJK6006DPD-00#J2
Fabricante
Renesas Electronics America
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 5A MP3A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3754 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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RJK6006DPD-00#J2 Descripción detallada

Número de pieza RJK6006DPD-00#J2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 77.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor MP-3A
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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