Número de pieza | RJK0301DPB-02#J0 |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5000pF @ 10V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 65W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | 5-LFPAK |
Paquete / caja | SC-100, SOT-669 |
Peso | - |
País de origen | - |