NP50P04KDG-E1-AY Descripción detallada
| Número de pieza |
NP50P04KDG-E1-AY |
| Estado de la pieza |
Obsolete |
| Tipo de FET |
P-Channel |
| Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
50A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
100nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
5100pF @ 10V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Característica FET |
- |
| Disipación de potencia (Máx) |
1.8W (Ta), 90W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
10 mOhm @ 25A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento |
175°C (TJ) |
| Tipo de montaje |
Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-263 |
| Paquete / caja |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
PRODUCTOS RELACIONADOS PARA NP50P04KDG-E1-AY
