NP110N055PUG-E1-AY

NP110N055PUG-E1-AY - Renesas Electronics America

Número de pieza
NP110N055PUG-E1-AY
Fabricante
Renesas Electronics America
Breve descripción
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
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Precio de referencia
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NP110N055PUG-E1-AY Descripción detallada

Número de pieza NP110N055PUG-E1-AY
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 110A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25700pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 55A, 10V
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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