NP109N04PUK-E1-AY Descripción detallada
Número de pieza |
NP109N04PUK-E1-AY |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
110A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
189nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
10800pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
1.8W (Ta), 250W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
1.75 mOhm @ 55A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
175°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-263 (D²Pak) |
Paquete / caja |
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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