N0439N-S19-AY - Renesas Electronics America

Número de pieza: N0439N-S19-AY
Fabricante: Renesas Electronics America
Breve descripción: MOSFET N-CH 40V 100A
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	N0439N-S19-AY
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	90A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	102nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5850pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.8W (Ta), 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 45A, 10V
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / caja	TO-220-3
Peso	-
País de origen	-