N0413N-ZK-E1-AY - Renesas Electronics America

Número de pieza: N0413N-ZK-E1-AY
Fabricante: Renesas Electronics America
Breve descripción: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza	N0413N-ZK-E1-AY
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5550pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1.5W (Ta), 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-263 (D²Pak)
Paquete / caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	N0413N-ZK-E1-AY	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 40V 100A TO-263	Detalles