Número de pieza | HAT2170H-EL-E |
---|---|
Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 45A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 7V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4650pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 30W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 22.5A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | LFPAK |
Paquete / caja | SC-100, SOT-669 |
Peso | - |
País de origen | - |