2SJ687-ZK-E1-AY Descripción detallada
Número de pieza |
2SJ687-ZK-E1-AY |
Estado de la pieza |
Obsolete |
Tipo de FET |
P-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
20A (Tc) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
57nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
4400pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±12V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
1W (Ta), 36W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
7 mOhm @ 10A, 4.5V |
Temperatura de funcionamiento |
150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-252 (MP-3ZK) |
Paquete / caja |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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