NXH80B120H2Q0SG

NXH80B120H2Q0SG - ON Semiconductor

Número de pieza
NXH80B120H2Q0SG
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
PIM 1200V 40A DUAL BOOST
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Módulos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
2022 pcs
Precio de referencia
USD 81.31/pcs
Nuestro precio
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NXH80B120H2Q0SG Descripción detallada

Número de pieza NXH80B120H2Q0SG
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Dual Boost Chopper
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 41A
Potencia - Max 103W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Corriente - corte de colector (máximo) 200µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 9.7nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC Yes
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Peso -
País de origen -

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