NVD6415ANT4G

NVD6415ANT4G - ON Semiconductor

Número de pieza
NVD6415ANT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
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26875 pcs
Precio de referencia
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NVD6415ANT4G Descripción detallada

Número de pieza NVD6415ANT4G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
País de origen -

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