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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › NTD12N10-1G
NTD12N10-1G

NTD12N10-1G - ON Semiconductor

Número de pieza
NTD12N10-1G
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
NTD12N10-1G Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3840 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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NTD12N10-1G Descripción detallada

Número de pieza NTD12N10-1G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165 mOhm @ 6A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor I-Pak
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
País de origen -

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