NSBA123JDXV6T1G - ON Semiconductor

Número de pieza: NSBA123JDXV6T1G
Fabricante: ON Semiconductor
Breve descripción: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Número de pieza	NSBA123JDXV6T1G
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios)	2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios)	47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo)	500nA
Frecuencia - Transición	-
Potencia - Max	500mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-563
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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