NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG - ON Semiconductor

Número de pieza
NGTG35N65FL2WG
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
IGBT 650V 60A 167W TO247
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - IGBT - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
31575 pcs
Precio de referencia
USD 3.003/pcs
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NGTG35N65FL2WG Descripción detallada

Número de pieza NGTG35N65FL2WG
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Field Stop
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 650V
Current - Collector (Ic) (Max) 70A
Corriente - colector pulsado (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Potencia - Max 300W
Conmutación de energía 840µJ (on), 280µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 125nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 72ns/132ns
Condición de prueba 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3
Peso -
País de origen -

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