MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G - ON Semiconductor

Número de pieza
MUN5111DW1T1G
Fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
MUN5111DW1T1G Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
45000 pcs
Precio de referencia
USD 0.0437/pcs
Nuestro precio
Enviar por correo electrónico: [email protected]

Por favor complete el siguiente formulario para solicitar un presupuesto para MUN5111DW1T1G

MUN5111DW1T1G Descripción detallada

Número de pieza MUN5111DW1T1G
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 250mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Peso -
País de origen -

PRODUCTOS RELACIONADOS PARA MUN5111DW1T1G