FGD3N60LSDTM-T - ON Semiconductor

Número de pieza: FGD3N60LSDTM-T
Fabricante: ON Semiconductor
Breve descripción: INTEGRATED CIRCUIT
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Simple
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Número de pieza	FGD3N60LSDTM-T
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de IGBT	-
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	600V
Current - Collector (Ic) (Max)	6A
Corriente - colector pulsado (Icm)	25A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.5V @ 10V, 3A
Potencia - Max	40W
Conmutación de energía	250µJ (on), 1mJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	12.5nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	40ns/600ns
Condición de prueba	480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	234ns
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-252, (D-Pak)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
FGD3N60LSDTM	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 6A 40W DPAK	Detalles
FGD3N60LSDTM-T	ON Semiconductor	INTEGRATED CIRCUIT	Detalles
FGD3N60UNDF	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 600V 6A 60W DPAK	Detalles